产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	高压肖特基二极管 5A/1200V	碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。高压肖特基二极管
	高压肖特基 10A/1200V	这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行，其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸，降低逆变器电路的复杂程度和成本，还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比，该系列产品的优势在于具有更高的浪涌额定值和电子雪崩性能，可以帮助提高系统整体的可靠性。高压肖特基
	肖特基二极管 10A600V	这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行，其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸，降低逆变器电路的复杂程度和成本，还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比，该系列产品的优势在于具有更高的浪涌额定值和电子雪崩性能，可以帮助提高系统整体的可靠性。肖特基二极管
	肖特基 20A/1200V	与同类硅二极管相比，开关损耗可锐减 50%。该产品在运行温度范围内具有高度一致的开关性能，可以简化电路设计并能省去复杂的散热器系统设计。在与科锐近期推出的1200V碳化硅功率 MOSFET配合使用时，这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行，其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸，降低逆变器电路的复杂程度和成本，还能达到极高的系统效
	200V肖特基二极管 SBD20C	SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBDTTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。 200V肖特基二极管