如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称:
IGW40N120H3
产品型号:
IGW40N120H3
产品厂商:
常州杜安进出口有限公司
产品文档:
无相关文档
简单介绍
IGW40N120H3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
IGW40N120H3
的详细介绍
IGW40N120H3
IGBT分立式器件
英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT
高能效、低成本IGBT
英飞凌出色的沟槽栅和场终止技术可使饱和电压大大低于竞争对手标准NPT IGBT器件，与此同时不会增加开关损耗。
整个产品组合分为600V和1200V。
目标应用：太阳能逆变器、驱动装置、UPS和其他所有硬开关应用
英飞凌全新的第三代高速系列
全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了IGBT行业开关损耗新标杆，建议应用于开关频率在20kHz以上的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，最高可使能效提高15%。
该系列不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。这主要归功于英飞凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技术——本身具备极低的集电极-发射极饱和电压。
特性：
• 最低的开关损耗使开关频率达到20kHz以上，确保较高的能效
• 软开关带来出色的EMI性能
• 低集电极-发射极饱和电压带来低通态损耗
• 对二极管的优化使其具备低二极管损耗和快速恢复时间
• 符合RoHS 标准
• 集电极-发射极饱和电压的正温度系数意味着可以轻松实现并联
• 持续5微秒的短路能力